如今的 7nm EUV 芯片,晶體管多達 100 億個,它們是怎么樣安上去的呢? $ t' W- V, C: x9 Z# g5 y
晶體管并非是安裝上去的,芯片制造其實分為沙子 - 晶圓,晶圓 - 芯片這樣的過程,而在芯片制造之前,IC 設計要負責設計好芯片,然后交給晶圓代工廠。
5 a* D+ @4 x4 T% U' ~9 y芯片設計分為前端設計和后端設計,前端設計(也稱邏輯設計)和后端設計(也稱物理設計)并沒有統一嚴格的界限,涉及到與工藝有關的設計就是后端設計。芯片設計要用專業的 EDA 工具。
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如果我們將設計的門電路放大,白色的點就是襯底,還有一些綠色的邊框就是摻雜層。
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- V, Y. S9 n- J) w5 U) }8 B當芯片設計好了之后,就要制造出來,晶體管就是在晶圓上直接雕出來的,晶圓越大,芯片制程越小,就能切割出更多的芯片,效率就會更高。 . t, _! A9 h7 s6 s! |2 ]; b- [
舉個例子,就好像切西瓜一樣,西瓜更大的,但是原來是切成 3 厘米的小塊,現在換成了 2 厘米,是不是塊數就更多。所以現在的晶圓從 2 寸、4 寸、6 寸、8 寸到現在 16 寸大小。 6 f$ L, v5 D5 S8 `% M* v
制程這個概念,其實就是柵極的大小,也可以成為柵長,它的距離越短,就可以放下更多的晶體管,這樣就不會讓芯片不會因技術提升而變得更大,使用更先進的制造工藝,芯片的面積和功耗就越小。但是我們如果將柵極變更小,源極和漏極之間流過的電流就會越快,工藝難度會更大。 % o1 T! O. v' L. x2 ?' b9 `
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芯片制造共分為七大生產區域,分別是擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、拋光、金屬化。 M( u& Y7 J" o5 I, H3 J1 `/ _
其中雕出晶圓的最重要的兩個步驟就是光刻和蝕刻,光刻技術是一種精密的微細加工技術。 ! l4 Y K% l5 e% \2 Y# O( q
常規光刻技術是采用波長為 2000~4500 的紫外光作為圖像信息載體,以光致抗光刻技術蝕劑為中間(圖像記錄)媒介實現圖形的變換、轉移和處理,最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質層上的一種工藝。 7 v& Y @6 ?1 E/ Q: L/ {% h- x
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1 P* e' e; l8 d. o# r& G3 Q8 A光刻技術就是把芯片制作所需要的線路與功能區做出來。簡單來說芯片設計人員設計的線路與功能區“印進”晶圓之中,類似照相機照相。 0 H* u1 ~! j& Q1 U0 Q: t! T# b
照相機拍攝的照片是印在底片上,而光刻刻的不是照片,而是電路圖和其他電子元件。
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而蝕刻技術就是利用化學或物理方法,將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質層除去,從而在晶片表面或介質層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。
- o! q" R4 q# I集成電路各功能層是立體重疊的,因而光刻工藝總是多次反復進行。例如,大規模集成電路要經過約 10 次光刻才能完成各層圖形的全部傳遞。
& D- ?3 Y+ {4 Q1 v3 A# K. \1 t# [4 G在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕。目前主流所用的還是干法刻蝕工藝,利用干法刻蝕工藝的就叫等離子體蝕刻機。 8 O4 q! X% U) B+ Q* u4 ~
在集成電路制造過程中需要多種類型的干法刻蝕工藝,應用涉及硅片上各種材料。被刻蝕材料主要包括介質、硅和金屬等,通過與光刻、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路、柵極、絕緣層以及金屬通路等。 1 [# X* O+ F6 d
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在涂滿光刻膠的晶圓(或者叫硅片)上蓋上事先做好的光刻板,然后用紫外線隔著光刻板對晶圓進行一定時間的照射。原理就是利用紫外線使部分光刻膠變質,易于腐蝕。 0 A# n0 c; p7 R
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溶解光刻膠:光刻過程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉,清除后留下的圖案和掩模上的一致。 ![]()
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" F1 _% D: Z3 | }* X% Y0 m“刻蝕”是光刻后,用腐蝕液將變質的那部分光刻膠腐蝕掉(正膠),晶圓表面就顯出半導體器件及其連接的圖形。然后用另一種腐蝕液對晶圓腐蝕,形成半導體器件及其電路。 . r; C$ x: W5 T t8 J) v, ]' s
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清除光刻膠:蝕刻完成后,光刻膠的使命宣告完成,全部清除后就可以看到設計好的電路圖案。 " H5 T4 S9 B' B( O# z! V
/ K- H8 V- q( Y) B K這里說一下,什么是光刻膠。我們要知道電路設計圖首先通過激光寫在光掩模版上,然后光源通過掩模版照射到附有光刻膠的硅片表面,引起曝光區域的光刻膠發生化學效應,再通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域,使掩模版上的電路圖轉移到光刻膠上,最后利用刻蝕技術將圖形轉移到硅片上。 5 X! v k H9 {
. S: d; U; w* [7 c! F. G# b2 w7 b而光刻根據所采用正膠與負膠之分,劃分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝。在正性光刻中,正膠的曝光部分結構被破壞,被溶劑洗掉,使得光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相同。 $ a+ [8 V/ N. A( g c$ B
相反地,在負性光刻中,負膠的曝光部分會因硬化變得不可溶解,掩模部分則會被溶劑洗掉,使得光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。 ![]()
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可以說,在晶圓制造中,直徑 30 厘米的圓形硅晶薄片穿梭在各種極端精密的加工設備之間,由它們在硅片表面制作出只有發絲直徑千分之一的溝槽或電路。
' G/ z: |; I8 _2 t+ s熱處理、光刻、刻蝕、清洗、沉積……每塊晶圓要晝夜無休地被連續加工兩個月,經過成百上千道工序,最終集成了海量的微小電子器件,經切割、封裝,成為信息社會的基石——芯片。 # j1 X0 G+ w! }/ }, y2 U
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W$ D( z5 t& n9 h s2 D3 B% Q- k這是一個 Top-down View 的 SEM 照片,可以非常清晰的看見 CPU 內部的層狀結構,越往下線寬越窄,越靠近器件層。 8 N3 x2 w* S/ {% K2 W4 d1 f# k6 m
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: K* |' h7 q5 M# q1 ~, \這是 CPU 的截面視圖,可以清晰地看到層狀的 CPU 結構,由上到下有大約 10 層,其中最下層為器件層,即是 MOSFET 晶體管。
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