英特爾1.8nm工藝搶先量產(chǎn)，臺(tái)積電：不評(píng)價(jià)

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在今年IEDM會(huì)議（國(guó)際電子器件會(huì)議）上，英特爾公布了其工藝技術(shù)路線圖以及未來(lái)三到四年內(nèi)可用的芯片設(shè)計(jì)愿景。

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該計(jì)劃透露了英特爾 18A（等效1.8 nm級(jí)）工藝的最新時(shí)間表，預(yù)計(jì)將該工藝提前至2024 年下半年進(jìn)入大批量制造 (HVM)，這將遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過臺(tái)積電2nm工藝的進(jìn)度。

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面對(duì)英特爾的挑戰(zhàn)，臺(tái)積電聯(lián)席CEO魏哲家在近期回應(yīng)稱，他不會(huì)評(píng)價(jià)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的發(fā)展，但同時(shí)，“臺(tái)積電的N3工藝率先實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)，是當(dāng)前最先進(jìn)的，N2工藝還會(huì)再次這么做，甚至?xí)�擴(kuò)大領(lǐng)導(dǎo)地位。”

據(jù)報(bào)道稱，英特爾18A工藝是該公司掌握五代CPU工藝中的最后一環(huán)，是20A工藝的改進(jìn)版，每瓦性能比提升10%，同時(shí)它也是對(duì)外代工的主力。也就在前不久，英特爾與ARM達(dá)成了合作協(xié)議，將基于18A工藝為ARM生產(chǎn)芯片。

而臺(tái)積電的2nm工藝將放棄FinFET晶體管結(jié)構(gòu)，首次使用GAA晶體管，相較于其N3E（3nm的低成本版）工藝，在相同功耗下，臺(tái)積電2nm工藝的性能將提升10~15%。但相較于前代工藝，升級(jí)幅度并不大。

在英特爾看來(lái)，18A工藝是與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵，后者的2nm工藝預(yù)計(jì)在2025年才能量產(chǎn)。